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本文用热蒸发Si0粉末的方法制备出了四种不同方向的硅纳米线，利用透射电镜对硅纳米线的横截面进行了观察，以期找到其生长方向与外表面之间的关系。
硅纳米线横截面的电子显微表征
【摘 要】
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本文用热蒸发Si0粉末的方法制备出了四种不同方向的硅纳米线，利用透射电镜对硅纳米线的横截面进行了观察，以期找到其生长方向与外表面之间的关系。
【机 构】
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浙江大学电镜中心,浙江杭州310027北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124浙江大学电镜中心,浙江杭州310027;北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124
【出 处】
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2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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