国产ZnSe单晶的EER谱分析

来源 :全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cqjava
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实验作出了ZnSe单晶样品(由长春物理所制备)的EER谱结构Eo和Eof△。由此定出的跃迁能量分别为2.725ev和3.139ev,相应的寿命展宽参数为30mev和53mev。与国外82年报道的结果作了比较,结果表明,国产ZnSe单晶已具有相当好的完整性。(本刊录)
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