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国产ZnSe单晶的EER谱分析
国产ZnSe单晶的EER谱分析
来源 :全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cqjava
【摘 要】
:
实验作出了ZnSe单晶样品(由长春物理所制备)的EER谱结构Eo和Eof△。由此定出的跃迁能量分别为2.725ev和3.139ev,相应的寿命展宽参数为30mev和53mev。与国外82年报道的结果作了比较
【作 者】
:
王若桢
陆建刚
赵明山
【机 构】
:
北京师范大学
【出 处】
:
全国第一届Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体学术会议
【发表日期】
:
1985年期
【关键词】
:
单晶
跃迁能量
完整性
谱结构
展宽
样品
物理
寿命
实验
年报
长春
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实验作出了ZnSe单晶样品(由长春物理所制备)的EER谱结构Eo和Eof△。由此定出的跃迁能量分别为2.725ev和3.139ev,相应的寿命展宽参数为30mev和53mev。与国外82年报道的结果作了比较,结果表明,国产ZnSe单晶已具有相当好的完整性。(本刊录)
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