【摘 要】
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a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长的a-Si:H薄膜呈现出较高的光敏性(光电导/暗电导)、较低的键合氢含量.分析表明,热丝对等离子体的热辐射对a-Si:H薄膜性能的改善起了决定性的作用.热丝辅助MWECR-CVD方法的提出为调控高速生长的a-Si:H薄膜的性能提供了一种新的途径.
【机 构】
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中科院电子所(北京) 北京工业大学材料科学与工程学院(北京)
【出 处】
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第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议
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a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH<,4>进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长的a-Si:H薄膜呈现出较高的光敏性(光电导/暗电导)、较低的键合氢含量.分析表明,热丝对等离子体的热辐射对a-Si:H薄膜性能的改善起了决定性的作用.热丝辅助MWECR-CVD方法的提出为调控高速生长的a-Si:H薄膜的性能提供了一种新的途径.
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