【摘 要】
:
本文采用过氧溶胶-凝胶法在室温下制备了具有电致变色和光致变色特性的10mol℅Li掺杂MoO薄膜.通过对薄膜循环伏安和光学特性的测试,表明经120℃处理的锂掺杂MoO薄膜具有良好的电化学性能及电致变色性能.采用Raman光谱对MoO薄膜光变色前后结构的分析表明,薄膜经紫外光照后结构进行了重组,表现有序状态.吸收光谱研究表明薄膜具有较好的光致变色特性.
【机 构】
:
中国科学院上海硅酸盐研究所(上海)
【出 处】
:
第四届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
本文采用过氧溶胶-凝胶法在室温下制备了具有电致变色和光致变色特性的10mol℅Li掺杂MoO<,3>薄膜.通过对薄膜循环伏安和光学特性的测试,表明经120℃处理的锂掺杂MoO<,3>薄膜具有良好的电化学性能及电致变色性能.采用Raman光谱对MoO<,3>薄膜光变色前后结构的分析表明,薄膜经紫外光照后结构进行了重组,表现有序状态.吸收光谱研究表明薄膜具有较好的光致变色特性.
其他文献
本文根据机械化学的原理,通过使用不同的机械改性设备在微米级的PMMA微球上包覆一层纳米级的TiO粒子,并用扫描电镜观察了所得微粒子的形貌,用紫外分光光度仪扫描了其紫外吸收谱图,发现经复合后的纳米TiO粒子的分散性得到明显改善,且复合粒子的紫外吸收能力大大增强.
用热重法(TG)研究了“胶乳法”氯化天然橡胶(CNR)颗粒的干燥过程.其干燥过程可用一指数方程准确表示,用SAS软件求出方程中的参数及干燥常数.经比较,理论值与实测值较好地吻合,并与常规方法有很强的相似性,可作为干燥装置的设计和操作优化控制的基础模型.红外光谱分析及物理性能测试结果表明,“胶乳法”CNR物料的干燥温度应控制在100℃以下.
本论文是以研制高强度高导电率的电车线为目标,选择Cu-Cr合金为研究材料,采用定向凝固连铸技术使导线材内部组织中的强化相Cr相似纤维状或链状沿导线方向有序排列在铜基体上形成自生复合组织,既保持了铜基体相的导电基本特性,又获得了强化相Cr相的强化作用,从而具有高强度与高导电率兼顾的优异特性,为导电线材研究领域解决高强度与高导电率之间矛盾提供了有效途径.
本文探讨了超滤膜从发酵液中提取乳酸钙的可行性及最适工艺.研究了六种超滤膜在乳酸发酵液中分离性能,结果表明:Suntar-5U3与Suntar-6U2两种膜对菌体、蛋白等杂质的截留率分别达到96.7℅和97.8℅,乳酸钙的透过率分别为94℅和92℅,两种膜的透过液的澄清度分别为97℅和98℅.实验中重点考察了膜的型号、料液的pH值、操作参数对膜通量、分离效率以及膜持续运行情况的影响.
用三靶直流反应磁控溅射仪,通过改变玻璃基片温度(350~500℃),在浮法玻璃上镀膜,制备了玻璃/TiO/TiN/TiO阳光控制镀膜玻璃.用Beckman UV 5240 光谱仪和X射线光电子能谱仪(XPS)对试样的光谱特性和膜表面组成与结构进行了分析.结果表明,当基片温度达500℃时,试样的红外反射率下降.在氧气氛下提高基片温度至400℃,TiN薄膜上开始有TiNO层生成.讨论了影响TiO/Ti
本文叙述了用B-S方法生长CaF晶体时,几种常见的负离子杂质对CaF晶体的品质的影响,主要分析了O、S两种负离子在CaF晶体中的存在形式,通过偏光显微镜分析了晶体杂质及周边基质CaF晶体的应力,并解释了杂质晶体及基质晶体位错缺陷的成因.本文还分析了其它常见的杂质在不同的掺杂浓度下,对CaF晶体品质产生的影响.
通过C与r—氨基丙基三乙氧基硅烷(3-aminopropyltrie—thoxysilane,NH(CH)Si(OCH),KH550)的亲核取代反应,把C联接到KH550上.用r-缩水甘油醚基丙基三甲氧基硅烷(3-glycidoxypropltrimethoxysilane,CHOCHCHO(CH)Si(OCH),KH560)作为有机改良物质,通过溶胶--凝胶低温合成非晶态技术,把C成功地以较大浓
在真空中,将C膜淀积在n型和p型InP衬底上形成C固体/n-InP和C固体/p-InP两种接触,以及对它们的电学性质作了研究.结果表明它们均是良好的异质结,对于C/n-InP,势垒高度的典型值为0.698eV,在±1V偏压时,其整流比大于10;对于C/p-InP,势垒高度典型值为0.719eV,以及在±2V偏压时,其整流比大于10.深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,C/InP界面上存在着与样品有关
C是碳的一种新的同素异形体,具有高度对称的结构和独特的物理化学性质,引起了广大科学工作者的极大兴趣.本文报道有关C薄膜及相关衍生物薄膜材料的制备与特性的研究结果,并进一步探讨主要的发展趋势.
本文利用磁控溅射法对NiO/NiFe间的交换偏置作用进行了研究.通过一系列工艺参数的改变,并结合XPS及XRD分析,其交换偏置作用可以达到110×80A/m,基本满足自旋阀器件制备的要求.