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Molecular Mechanism of HIV-1 Integrase-vDNA Interactions and Strand Transfer Inhibitor Action: A Mol
【机 构】
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State Key Laboratory of Applied Organic Chemistry and Department of Chemistry,Lanzhou University, La
【出 处】
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第十一届全国计算(机)化学学术会议
【发表日期】
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2011年3期
其他文献
霍尔推力器壁面一般由绝缘陶瓷(BN)构成,众所周知,为了平衡电子和离子的通量,在绝缘壁面附近会形成鞘层.鞘层的存在会增加离子打到壁面的能量,从而增加推力器的能量损失.与此同时,鞘层的存在会对推力器壁面受热和通道内电子的传导特性产生重要的影响.研究结果表明,通道中电子温度对推力器内的鞘层有重要的影响.随着电子温度的升高,二次电子发射系数会增大,鞘层的电势降会减小,当二次电子发射系数大于某一闽值时,会
以洛仑兹变换方法为基础,分析,阳极层霍尔等离子体加速器中电子的霍漂移,结果表明在交叉场中,霍尔漂移并不总是存在的,E/B的比值大于光速时霍尔漂移将不存在。迸一步的分析表明,霍尔漂移也并不总是回旋形式的,不的电磁场配置以及不同的电予初始能量将带来不同形式的漂移,包括回旋形式波浪线形式,甚至直线形式。电磁场的配置也决定着霍尔漂移的速度,在很大度上影响着电子的能量,这就决定了放电时的电离效率。对不同电磁
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