【摘 要】
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采用湿法腐蚀,在p型晶硅衬底上制备定向生长、直径为40-500纳米的硅纳米线阵列.高度为5μm的纳米线阵列,在350nm到1OOOnm之间的平均反射率为3.62％.基于纳米线阵列的良好陷光作
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采用湿法腐蚀,在p型晶硅衬底上制备定向生长、直径为40-500纳米的硅纳米线阵列.高度为5μm的纳米线阵列,在350nm到1OOOnm之间的平均反射率为3.62％.基于纳米线阵列的良好陷光作用,采用常规扩散工艺制备的纳米线太阳电池的短路电流与平面结构太阳电池相比,提高了29.7％.在250衬底温度下,采用热丝化学气相沉积技术,以氢稀释磷烷作为掺杂气体,实现了硅纳米线的浅结掺杂,与常规扩散工艺制备的纳米线太阳电池相比,浅结掺杂硅纳米线太阳电池的短路电流进一步提高了7.75％.这可能是与热丝化学气相沉积技术低温掺杂使得纳米线部分形成了径向结,改善了载流子收集有关.
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