【摘 要】
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本文通过氯化亚砜将强极性的Si-Cl键引到纳米SiO表面,再与过氧化羟基异丙苯(CHP)反应,从而成功地将过氧基团引入到纳米SiO表面.以这种改性的SiO作为部分引发剂,原位聚合St,使
【机 构】
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华东理工大学材料科学与工程学院,国家超细粉末工程研究中心(上海)
【出 处】
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2004全国高分子材料科学与工程研讨会
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本文通过氯化亚砜将强极性的Si-Cl键引到纳米SiO<,2>表面,再与过氧化羟基异丙苯(CHP)反应,从而成功地将过氧基团引入到纳米SiO<,2>表面.以这种改性的SiO<,2>作为部分引发剂,原位聚合St,使PS分子链末端接枝上SiO<,2>.同时,为便于比较改性SiO<,2>的功效,以未改性的SiO<,2>在同样条件下加入St中进行原位聚合.所得产物通过TEM考察未改性和改性SiO<,2>粒子与PS接枝的差异;并将产物用THF索式萃取24h,然后采用热失重分析的方法,考察未改性和改性SiO<,2>的接入对PS耐热性能的影响状况.
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