Nb:TiO2室温铁磁性的机理及其自旋极化输运与调控的研究

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a1263951733

【摘要】

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铁磁性半导体被认为是下一代利用电子的自旋自由度所制备的自旋电子学器件的主要材料.继续寻找一种居里温度(Tc)高于室温、具有可控铁磁性的半导体,仍然是目前自旋电子学领域

【作者】

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杨继勇韩银龙何林窦瑞芬熊昌民聂家财

【机构】

：

北京师范大学物理系,北京市新街口外大街19 号,100875

【出处】

：

中国物理学会2012年秋季学术会议

【发表日期】

：

2012年期

【关键词】

：

TiO2 室温铁磁性机理自旋极化输运自旋电子学器件铁磁性半导体自旋自由度居里温度

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铁磁性半导体被认为是下一代利用电子的自旋自由度所制备的自旋电子学器件的主要材料.继续寻找一种居里温度(Tc)高于室温、具有可控铁磁性的半导体,仍然是目前自旋电子学领域的科学家们工作的一大重点.Nb:TiO2 是一种载流子浓度可调范围大(1018～1021/cm3)[1],具有本征铁磁性的n 型半导体[2].

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