【摘 要】
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本文采用阴极电沉积方法在石墨芯基体上制备电活性铁氰化镍薄膜，然后组装为多排石墨芯膜电极系统于1mol·L-1KN03溶液中测定其循环伏安(CV)曲线，通过调节膜电极的氧化还原电位控制K离子的置入与释放，重点考察了不同电极厚度与间距的石墨芯基体NiHCF膜电极CV图的阴阳极峰电位分离情况，以及不同扫描速度下膜电极系统的循环伏安图变化情况。研究结果表明，由于膜电极系统内部离子扩散的影响循环伏安图的阴阳
【机 构】
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太原理工大学洁净化工研究所,山西太原030024
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本文采用阴极电沉积方法在石墨芯基体上制备电活性铁氰化镍薄膜，然后组装为多排石墨芯膜电极系统于1mol·L-1KN03溶液中测定其循环伏安(CV)曲线，通过调节膜电极的氧化还原电位控制K离子的置入与释放，重点考察了不同电极厚度与间距的石墨芯基体NiHCF膜电极CV图的阴阳极峰电位分离情况，以及不同扫描速度下膜电极系统的循环伏安图变化情况。研究结果表明，由于膜电极系统内部离子扩散的影响循环伏安图的阴阳极峰电位将发生偏移，在电位循环扫描过程中电荷传递-反应先后经历电极反应控制阶段和扩散控制阶段。根据循环伏安图阴阳极峰电位的分离程度可以分析三维多孔电极内离子扩散的影响，并通过膜电极结构(特征)尺寸建立峰电位分离△E与离子扩散阻力间的定量关系，为新型ECIS技术的模型化提供关键参数。
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本文以环氧乙烷水溶液和二氧化碳为原料，在原有间歇反应工艺基础上，进行管式连续反应过程研究。探讨了加入混合溶剂EC和EG配比以及反应温度对EC选择性的影响；并验证了间歇反应动力学方程的可靠与可行性。试验结果表明，在反应温度为125±5℃、反应压力为3.5±0.5MPa、催化剂质量分数不小于2% ， H2O/EO摩尔比为1/2、EC/EO摩尔比为5、EG质量分数小于30%、反应停留时间小于1h的条件下
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本文用异丁醇还原VOPO4·2H2O制备了V-P-O系催化剂前体VOHPO4·0.5H2O，在673K,1.5%正丁烷/空气氛围中将其煅烧75小时得催化剂主要活性相(VO)2P2O7，并采用XRD,FTIR,BET以及ICP等手段对其结构进行了表征。采用固定床反应器对V-P-O系催化剂进行正丁烷、混合碳四烃(正丁烷、异丁烷和2-丁烯)选择氧化制顺配的评价试验，研究了催化剂的磷钒原子比、催化剂比表面
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