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本文推导出了条形单胞VDMOSFET的特征导通电阻的数学模型，并以(55V/30A)功率VDMOSFET的设计为例，根据此模型的计算数据确定器件单胞尺寸。
条形单胞VDMOSFET特征导通电阻的物理模型
【摘 要】
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本文推导出了条形单胞VDMOSFET的特征导通电阻的数学模型，并以(55V/30A)功率VDMOSFET的设计为例，根据此模型的计算数据确定器件单胞尺寸。
【机 构】
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中国科学院微电子研究所,北京,100029
【出 处】
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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
【发表日期】
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2005年期
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