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本文研究了多晶硅片微晶区域对硅片少子寿命和电池性能的影响。作为晶界、位错和杂质三者聚集的微晶区域,是少数载流子的强复合中心,会严重影响硅片的少子寿命。微晶区域,尤其是晶界处,导电型SiC的生成会造成电池的严重漏电甚至PN结短路,严重影响电池性能。
多晶硅片微晶区域对太阳能电池性能的影响
【摘 要】
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本文研究了多晶硅片微晶区域对硅片少子寿命和电池性能的影响。作为晶界、位错和杂质三者聚集的微晶区域,是少数载流子的强复合中心,会严重影响硅片的少子寿命。微晶区域,尤其是晶界处,导电型SiC的生成会造成电池的严重漏电甚至PN结短路,严重影响电池性能。
【机 构】
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尚德电力控股有限公司,江苏无锡 214028
【出 处】
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第十届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
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2008年5期
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