【摘 要】
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在LaSrMnCuO中掺杂20﹪的ZnFeO.发现掺杂后的电阻率要远大于未掺杂样品的电阻率.掺入铁酸锌后,样品的磁电阻值明显大于未掺杂的样品.在1.5T,263K时,掺杂20﹪的ZnFeO的MR为15﹪,而La
【出 处】
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第三届全国磁性薄膜与纳米磁学学术会议
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在La<,2/3>Sr<,1/3>Mn<,0.97>Cu<,0.03>O<,3>中掺杂20﹪的ZnFe<,2>O<,4>.发现掺杂后的电阻率要远大于未掺杂样品的电阻率.掺入铁酸锌后,样品的磁电阻值明显大于未掺杂的样品.在1.5T,263K时,掺杂20﹪的ZnFe<,2>O<,4>的MR为15﹪,而La<,2/3>Sr<,1/3>Mn<,0.97>Cu<,0.03>O<,3>的MR在同样条件下仅为5﹪.
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