侧向外延法降低立方相GaN中的层错密度

来源 :第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jian47312144

【摘要】

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本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10cm降低至生长后的

【作者】

：

沈晓明付羿冯淦张宝顺冯志宏杨辉

【机构】

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中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室(北京)

【出处】

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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

【发表日期】

：

2002年期

【关键词】

：

外延法立方相侧向外延生长层错密度外延层射线衍射晶体质量方法观察表半高宽试用扫描面像测量

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本文尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.TEM平面像的观察表明经过ELOG方法生长后,立方相GaN外延层中的层错密度由侧向外延生长前的5×10<9>cm<-2>降低至生长后的6×10<8>cm<-2>.双晶X射线衍射(DCXRD)测量给出侧向外延前后外延层ω扫描(002)衍射rocking curve的半高宽(FWHM)分别为33arcmin和17.8arcmin,表明晶体质量有了很大改善.文中对立方相GaN侧向外延过程中层错减少的机制进行了讨论.

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