SiGe单晶的生长及其性能的研究

来源 :第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：baobeidjlj

【摘要】

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本文对SiGe单晶的生长原理及生长方法进行了研究,并对自行研制的PMCZ生长法进行了阐述.同时对利用该方法生长出的掺杂不同锗浓度的SiGe单晶各种性能进行了探讨.结果发现,在磁

【作者】

：

牛新环檀柏梅张维连张书玉索开南

【机构】

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信息工程学院

【出处】

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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

【发表日期】

：

2005年期

【关键词】

：

单晶纵向分布逐渐增强杂质浓度生长方法机械强度磁场作用吸收峰生长法均匀性原理性能红外含量掺杂掺入波数

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本文对SiGe单晶的生长原理及生长方法进行了研究,并对自行研制的PMCZ生长法进行了阐述.同时对利用该方法生长出的掺杂不同锗浓度的SiGe单晶各种性能进行了探讨.结果发现,在磁场作用下,锗杂质的纵向分布均匀性得到了提高;随Ge含量的增大,单晶中氧杂质浓度逐渐下降,机械强度逐渐增强;随Ge的掺入,Si的红外吸收峰出现了在710cm-1及800cm-1波数处的明显新峰.

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