【摘 要】
:
具有高反射率的背电极对于非晶硅基薄膜太阳电池的高性能和稳定性至关重要.本文提出ZnO:Al2O3(AZO)/Ag/NiCr (AZO)/Al 复合结构做硅基薄膜太阳电池的背电极.Ag 是一种昂贵金
【机 构】
:
中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室,中国科学院电工研究所,北京 100190
【出 处】
:
第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
论文部分内容阅读
具有高反射率的背电极对于非晶硅基薄膜太阳电池的高性能和稳定性至关重要.本文提出ZnO:Al2O3(AZO)/Ag/NiCr (AZO)/Al 复合结构做硅基薄膜太阳电池的背电极.Ag 是一种昂贵金属且易氧化或硫化,沉积Ag 层后再沉积Al 作为保护层,其中,NiCr 或AZO 做扩散阻挡层,有效防止Ag 与Al 的相互扩散,既减少Ag 的用量,同时保持银的优异性能,解决了传统AZO/Ag 背电极存在的问题.最终制备背电极为AZO/Ag/NiCr/Al、初始效率为7.91% (Jsc=18.66mA/cm2,Voc=0.73V,FF=0.58)的单结非晶硅锗电池及9.72% (Jsc=5.95mA/cm2,Voc=2.30V,FF=0.71)的三结非晶硅/非晶硅锗/非晶硅锗电池.
其他文献
本文围绕着产业化所关注的低成本和高效率两大关键点,开展基于高速、高效的微晶硅叠层薄膜太阳电池的研究.首先,通过调整沉积工艺参数,获得了超过1.5nm/s 高速率沉积的微晶硅
采用热丝化学气相沉积技术,在气流入射角度分别为0°和45°下,制备了硅薄膜,研究了氢稀释度(RH=H2/(H2+SiH4))对薄膜表面形貌的影响.垂直入射制备的硅薄膜,薄膜厚度较小时近
利用硅烷(SiH4)、三甲基硼烷TMB(B(CH3)3)和氢气(H2),通过射频等离子体增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)在石英衬底上制备了掺硼氢化非晶硅薄膜.研究了沉积温度,硼烷掺杂浓度,
’97《劳动医学》通讯员学术交流暨发行工作研讨会纪要1997年11月18日至20日,本刊通讯员’97学术交流暨发行工作研讨会在上海召开。来自全国各地20余名通讯员代表到会。本刊主办单位上海市劳动
本文采用磁控共溅射技术制备a-Si:Ti 薄膜并对其结构和光电特性进行了研究.结果表明,磁控溅射的a-Si:Ti 薄膜为非晶态,在本文实验条件下,掺杂浓度可达到2×1020cm-3.掺钛薄膜
本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对高锗含量微晶硅锗材料的特性和电池的结构均进行了优化.首先,通过对衬底温度的调节,在衬底温度为200 °C 的情况下,