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本文利用分子束外延技术(MBE)制备了InAs/GaSbⅡ型超晶格材料，然后采用透射电镜(TEM)对材料的微观结构进行了分析，旨在为超晶格红外探测器的制备提供帮助。
InAsGaSbⅡ型超晶格材料的微观结构研究
【摘 要】
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本文利用分子束外延技术(MBE)制备了InAs/GaSbⅡ型超晶格材料，然后采用透射电镜(TEM)对材料的微观结构进行了分析，旨在为超晶格红外探测器的制备提供帮助。
【机 构】
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北京工业大学固体微结构与性能研究所,北京100124昆明物理研究所,云南昆明650223
【出 处】
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2012年全国电子显微学学术会议
【发表日期】
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2012年9期
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