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半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料。高质量半导体性SWCNT的可控制备是当前碳纳米管研究的重点和难点。
窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管的可控制备
【摘 要】
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半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率，被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料。高质量半导体性SWCNT的可控
【机 构】
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中国科学院金属研究所,沈阳市文化路72号,110016
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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