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在研究GaN基LED芯片外形结构对光提取效率影响机理的基础上，提出了一种新的斜四边形衬底外形结构，在理论研究了该结构中侧面倾斜角度对光子提取效率的影响后，通过正反面划片工艺实现样品的制作，结果表明斜面倾斜角度为60°时，轴向光强提高了31.99％。同时本文进一步分析和验证了LED芯片外形结构对封装后LED器件出光效率的影响。