多孔空心阴极等离子体增强化学气相沉积制备高晶化率微晶硅薄膜

来源 :第十五届全国等离子体科学技术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cs80085829

【摘要】

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　　本文采用多孔空心阴极等离子体增强化学气相沉积(HC—PECVD)技术，以二氯硅烷(SiH.Cl.)和氢气(H：)分别作为硅源和还原剂制备微晶硅薄膜.通过傅里叶变换红外谱、拉曼散射谱和

【作者】

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陈玖香张受业陈强

【机构】

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北京印刷学院印刷包装材料与技术北京市重点实验室北京102600

【出处】

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第十五届全国等离子体科学技术会议

【发表日期】

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2011年8期

【关键词】

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空心阴极晶化率微晶硅薄膜

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　　本文采用多孔空心阴极等离子体增强化学气相沉积(HC—PECVD)技术，以二氯硅烷(SiH.Cl.)和氢气(H：)分别作为硅源和还原剂制备微晶硅薄膜.通过傅里叶变换红外谱、拉曼散射谱和x射线衍射等表征方法研究了生长条件对微晶硅薄膜沉积速率和晶化率的影响.研究发现通过多孔空心阴极等离子体增强化学气相沉积技术，在无Ar气掺杂的条件下可以制得较高质量的微晶硅薄膜，薄膜最大的晶化率可达71.4％，沉积速率最高可达40.2纳米/分钟.

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