【摘 要】
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氮化铝作为重要的Ⅲ-Ⅴ族超宽带（6.2ev）化合物半导体材料,具有高熔点、高热导率、高击穿场强等诸多优异的物理化学性质,在深紫外发光二极管（UVC-LED）、深紫外激光器（UV-LD）和日盲型
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所;
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氮化铝作为重要的Ⅲ-Ⅴ族超宽带（6.2ev）化合物半导体材料,具有高熔点、高热导率、高击穿场强等诸多优异的物理化学性质,在深紫外发光二极管（UVC-LED）、深紫外激光器（UV-LD）和日盲型紫外探测器等方面具有广泛的应用[1-3]。偏振拉曼光谱能够进一步对晶体的微观结构进行探究,从而得到材料的各向异性信息。本文采用平行及垂直条件下的偏振散射装置,对物理气相传输（PVT）法生长的六方AlN晶体（110）面的偏振拉曼光谱进行研究。通过拉曼选择定则计算得到A1（TO）、E1（TO）、E2high模的拉曼张量比值,与同为六方纤锌矿结构的ZnO及4H-SiC材料相较,AlN材料表现出更强的各向异性特征。
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