【摘 要】
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我们利用分子束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长出了高质量的[L10-MnGa/Co2MnSi]n超晶格材料.实验证明,L10-MnGa薄膜与Co2MnSi薄膜之间能够形成良好的异质外延结构,并且两种材料的磁矩间存在强大的反铁磁交换耦合作用(通过计算得出界面交换耦合常数高达-5.3mJ/m2),是研究人工反铁磁结构相关性质的良好载体.通过改变超晶格中两种组分膜的相对厚度,可在二
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京 100083
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我们利用分子束外延(MBE)技术在半绝缘GaAs(001)衬底上生长出了高质量的[L10-MnGa/Co2MnSi]n超晶格材料.实验证明,L10-MnGa薄膜与Co2MnSi薄膜之间能够形成良好的异质外延结构,并且两种材料的磁矩间存在强大的反铁磁交换耦合作用(通过计算得出界面交换耦合常数高达-5.3mJ/m2),是研究人工反铁磁结构相关性质的良好载体.通过改变超晶格中两种组分膜的相对厚度,可在二者之间产生不同程度的磁矩补偿效应,从而使得超晶格的面外净磁矩(M)与矫顽力(Hc)可在很大范围内受到人为调控.
其他文献
通过第一性原理计算,研究了Mn2Co1-xCrxAl(x=0.25,0.5,0.75)的电子结构和磁性,发现Mn2CoAl对占位的要求极高,少量掺杂就会破坏其原有的电子结构,失去零能隙磁性半导体的特性.当掺杂少量的Cr时,Mn2Co0.75Cr0.25Al和Mn2Co0.25Cr0.75Al在按照占位规则有序占位时表现出半金属性,半金属能隙分别为0.07eV和0.08eV；而Mn2Co0.5Cr0
绝缘包覆是软磁粉芯的核心制备工艺。目前，产业上常用的是磷酸钝化工艺，该工艺以磷酸为主要绝缘剂，在磁粉表面通过钝化形成一层致密的磷酸盐绝缘层，但该工艺并不适用于抗腐蚀性较好的铁镍合金磁粉。本文探索了铁镍粉芯的新制备工艺。首先，采用KH550对铁镍磁粉表面进行改性，然后枝接有机树脂形成大分子网状结构，再将纳米氧化物填充于大分子网状结构的间隙以形成绝缘层。
通过第一性原理计算,我们探究了A位有序的立方钙钛矿结构化合物LaMn3Fe4O12的热力学稳定性,基态磁结构以及磁电耦合效应。我们从理论上预测,LaMn3Fe4O12是一种稳定的,具有双重G型反铁磁构型的绝缘体并且存在磁致的铁电极化。该物质中的铁电极化来源于其中具有共线自旋结构的锰离子与铁离子之间的特殊耦合作用。
为了解决氮掺杂硫化锌是否具有磁性这一争议问题，利用全势线性缀加平面波方法和modified Becke-Johnson(mBJ)为关联势研究了氮掺杂硫化锌块材及表面的电子结构.结果表明氮原子替换硫原子可使硫化锌具有磁性，使其变为铁磁性的金属.单个氮原子替换硫原子可以产生0.79μB的总磁矩，而且氮原子之间存在着稳定的铁磁相互作用，电子结构表明类似于p-d交换的p-p耦合相互作用是其磁性的主要产生机
磁性转变经常伴随着很多现象,如：热、电、光、长度等等,并有广泛的应用.块状Cu7Ba4Tb2CaOx材料,是用粉末冶金法制备的,所用原料为粉末状的CuO、BaCO3、Tb4O7和CaO,纯度均高于99％,Cu、Ba、Tb和Ca所占离子比为7∶4∶2∶1.所有的粉末均匀混和后,压成块体,在氧压为30mm水柱条件下,900℃烧结48小时后缓冷24小时至450℃,再保温10小时后,炉冷至室温.
Verwey在1939年对Fe3O4的电性进行测量时发现,当温度降低至125K附近,Fe3O4经历金属-绝缘体转变,电阻率瞬间增大2～3个数量级,这个现象自发现至今已过去了70多年,研究人员对此展开了许多研究,而对于其转变机制仍未得到充分的了解.基于前人的第一性原理计算结果,我们利用VASP软件包,采用平面放大波方法,进行广义梯度近似配合库伦相互作用(GGA+U)的计算,对基于P2/c空间群的低温
(III,Mn)V dilute magnetic semiconductors(DMSs)featuring carrier-mediated ferromagnetism have been acting as an ideal playground for the exploration of many novel concepts in spintronic devices[1].Some
磁化反转性质是磁性材料最基本、最重要的性质。磁性材料中的各向异性是影响磁化反转性质的主要因素之一。本文采用一致转动模型，研究了立方各向异性和交换各向异性共存的铁磁/反铁磁体系的磁化反转性质。研究发现，体系的剩磁状态可以分为四种不同的类型，分别是单稳态、双稳态、三稳态和四稳态。研究发现：调节立各向异性、交换各向异性的大小K及它们的相对取向α，可以使体系处于不同类型的剩磁态，进而表现出不同类型的磁滞回
近年来，各种材料中条纹畴结构的高频磁性越来越受到人们的关注。条纹畴结构的形成主要是体系中静磁能，交换作用能和垂直各向异性能这三项能量的竞争平衡解。许多的研究者通过改变薄膜厚度研究了不同的静磁能和垂直各向异性能对条纹畴结构的高频微波响应特性的影响。然而，对于交换作用能对条纹畴结构的影响的研究，目前还鲜有报道。