【摘 要】
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为了研究含金属弯曲结构多芯片组件(MCM)的电磁特性,采用一种局部共形网格时域有限差分(MLC-FDTD)方法,该方法把局部变形网格分为良态网格和病态网格,通过两种方式修改变形网格中磁场分量的迭代方程,同时引入插值方法求解变形网格中金属区域的虚拟电场进行磁场的迭代,计算结果表明了该方法的正确性和有效性。
【机 构】
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西安电子科技大学,天线与微波技术国家重点实验室,陕西,西安,710071
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为了研究含金属弯曲结构多芯片组件(MCM)的电磁特性,采用一种局部共形网格时域有限差分(MLC-FDTD)方法,该方法把局部变形网格分为良态网格和病态网格,通过两种方式修改变形网格中磁场分量的迭代方程,同时引入插值方法求解变形网格中金属区域的虚拟电场进行磁场的迭代,计算结果表明了该方法的正确性和有效性。
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