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钙钛矿太阳能电池中电子传输层的材料一直是以TiO2 为主,由于需要450℃的高温烧结而制约了其在柔性钙钛矿电子器件上的应用.因此寻找其它材料替代TiO2 作为空穴阻挡层一直是近年来冉冉升起的钙钛矿电池的一个研究方向.与TiO2 相比,SnO2 由于其相对较高的电子迁移率和本身较宽的光学带隙在最近引起了广泛关注.然而其较浅的导带能级和薄膜本身存在的一些缺陷制约了其进一步的应用.本文通过一种简单的TiCl4 低温(150℃)界面处理手段填补了SnO2 薄膜上出现的针孔,并且形成的Ti-SnO2 复合材料有效地降低了SnO2 的表面功函数.