石墨烯具有独特二维平面结构和狄拉克锥形电子能带结构、以及紫外到近红外的宽谱光吸收特性。石墨烯的狄拉克能带结构将导致光生载流子倍增效应，避免了传统半导体pn结光电转换过程中热电子热能的损失，具有高速高效光电检测性能，在传感器、红外夜视系统及天文望远镜等领域有潜在应用。我们发展了电化学转移和周期性修饰化学气相沉积(CVD)生长的单层石墨烯的方法，为制备高效率石墨烯光电检测器件奠定基础。我们首先在铜箔基底上CVD生长大面积单层石墨烯，然后通过合理控制氧化电压，用电化学方法替代传统湿法转移刻蚀剂氧化金属基底，实现了大面积高质量石墨烯的转移。电化学氧化法转移的石墨烯Raman光谱中出现2D峰半峰宽减小、以及G峰和2D峰红移的现象，这表明电化学转移方法能避免传统方法中强氧化性刻蚀剂(如三氯化铁、过硫酸铵等)对石墨烯造成的严重p掺杂。在这基础上，我们使用模板辅助的电化学法在转移的石墨烯上电沉积周期性金属纳米粒子阵列，其粒径及形貌可控，有望利用金属纳米粒子的等离子体增强效应进一步提高石墨烯光电检测效率。