【摘 要】
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在薄膜太阳能电池中,直接带隙的铜三六族(Cu-Ⅲ-VI2)化合物半导体如CuInS2、CuInSe2以及Cu2InGaSe4,具有优异的光电特性,成为比硅基材料更加优越的低成本高转换效率薄膜
【机 构】
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湛江师范学院物理科学与技术学院,湛江524048
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在薄膜太阳能电池中,直接带隙的铜三六族(Cu-Ⅲ-VI2)化合物半导体如CuInS2、CuInSe2以及Cu2InGaSe4,具有优异的光电特性,成为比硅基材料更加优越的低成本高转换效率薄膜太阳电池吸收层材料.生产工艺成熟后,CIGS电池的制造成本和能量回报时间都远低于晶体硅电池.世界上光伏技术的著名研发机构,如美国的国家再生能源实验室(NREL)和Dellware大学、德国的HMI和Stugartt大学等,都对Cu-Ⅲ-VI2基高转换效率薄膜太阳电池有系统的研究,2010年德国ZSW的CIGS电池转换效率为20.3％,已接近多晶硅太阳电池的水平.用Zn和Sn替代CuInS2中的In得到的四元半导体铜锌锡硫Cu2ZnSnS4(简称CZTS),也具有适合作为薄膜太阳电池吸收层的特性,引起了广泛关注.
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