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热处理改善未掺杂ＬＥＣ ＧａＡｓ中ＥＬ２分布均匀性的机理研究

来源 :中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：llll9909

【作 者】

：

李光平 杨瑞霞 

【机 构】

：

机械电子部第46研究所

【出 处】

：

中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议

【发表日期】

：

1993年期

【关键词】

：

热处理 未掺杂 分布 均匀性 

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