目的:探索电针对脑缺血再灌注脑损伤G蛋白信号转导的影响. 方法:应用改良LONGA血管内线栓塞右侧大脑中动脉致缺血再灌注大鼠60只,随机均分为假手术组、模型组、3HzEA(电针)组、100HzEA组、3Hz EA+CTX组、3Hz EA+PTX组等6组,对照性观察各脑缺血2小时后再灌注24h的大鼠神经行为学、脑损伤侧皮层锥体细胞层形态学及免疫组化的神经元Gs、Go亚基阳性细胞数及蛋白、灰度及光密度变化. 结果：3Hz或100Hz电针“百会”“大椎”穴30分钟后，可使脑缺血再灌流大鼠神经行为学评分增加，脑损伤侧皮层锥体细胞层形态学改善、脑神经功能缺损体征减轻。当EA加CTX时，Gs阳性细胞数及蛋白表达比模型组增多；PTX加EA及模型大鼠皮层中Go蛋白阳性细胞数比电针组显著增多（P＜0.01）、Go平均灰度明显降低，平均光密度增高（P＜0.05），可见电针能上调Gs阳性细胞数及蛋白表达，下调 Go阳性细胞数及蛋白表达。 结论：脑缺血再灌注损伤中，电针对大脑神经元保护效应是通过G蛋白含量与活性级联信号通路而实现的，G蛋白介导细胞信号通路，在脑缺血再灌注损伤及针刺抗氧应激信号转导机制中，具有至关重要调衡作用。