浓度极化作为微流控芯片系统中低浓度样品的高效定位浓集机制而引起人们的关注。微纳界面浓度极化可形成两种方式的离子堆积[1]，一是在微纳界面的两端(Ⅰ类)，一是在耗尽区的边缘(Ⅱ类)。目前Ⅱ类的浓集的相关报道相对较多。我们已经在石英微通道上建立的微纳界面上表现出了很好的Ⅰ类浓集效果[1-2]，在该界面上的Ⅱ类浓集行为仍有待进一步展示。本文基于石英微通道上所建立的具有浓度极化特征的微纳界面，用显微荧光成像法及电泳转移激光诱导荧光法(LIF)对Ⅱ类浓集行为进行了研究。用带负电的荧光素钠和带正电的罗丹明6G 探针均在微通道内观测到了耗尽区的形成，用电泳转移和激光诱导荧光检测的方法对耗尽区边缘的堆积进行了关联。在带负电的界面上，当微通道内侧为阳极时，在界面的内侧形成离子耗尽，同时在耗尽区的边沿形成了离子堆积，用LIF观测到了对应的堆积峰。但是对应峰的个数有时表现为一个，有时表现为两个；另耗尽区离子浓度低，因此同时可能存在场放大作用，其对浓集结果产生的影响也在研究中。该研究对充分利用Ⅱ类浓集提高基于石英毛细管的芯片电泳的分离效率和检测的灵敏度有重要意义。