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实验—电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠细胞凋亡、自噬的影响目的:观察电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠运动功能、缺血半暗区病理形态及细胞凋亡、自噬的影响。方法:将153只SPF级雄性Sprague-Dawley大鼠按照随机数字表法分为假手术组、模型组和电针预处理组,每组36只,再分成再灌注2h、24h、72h三个亚组,每个亚组12只。大脑中动脉阻塞（MCAO）建立脑缺血2h再灌注模型。再灌注后2h、24h、72h,对所有大鼠进行神经行为学评分;HE染色观察脑缺血半暗区病理损伤程度;TUNEL法检测脑组织缺血半暗区细胞凋亡情况;Western blotting检测脑组织缺血半暗区LC3 Ⅱ/Ⅰ蛋白表达。结果:1.神经行为学评分:术后各时间点,与模型组比较,电针预处理组神经功能缺损评分均明显降低（P<0.05）。2.HE染色:术后各时间点,与模型组比较,电针预处理组脑缺血半暗区病理损伤程度减轻（P<0.05）。3.TUNEL:术后各时间点,与模型组比较,电针预处理组脑缺血半暗区细胞凋亡数减少（P<0.05）。4.Western blotting:术后各时间点,与模型组比较,电针预处理组脑缺血半暗区LC3 Ⅱ/Ⅰ蛋白比值下降（P<0.05）。结论:1.电针预处理可以降低脑缺血再灌注损伤大鼠神经功能缺损评分,改变脑缺血半暗区病理损伤程度;2.电针预处理可以减少脑缺血半暗区细胞凋亡数,抑制凋亡的发生,产生脑保护作用;3.电针预处理可以下调缺血半暗区LC3 Ⅱ/Ⅰ的比值,抑制细胞自噬,发挥脑保护作用。实验二电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠p53/mTOR通路相关蛋白的影响目的:观察电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠p53/mTOR信号通路相关蛋白表达的影响。方法:选取缺血再灌注24h时间点,应用免疫组化法和Western blotting检测脑组织缺血区p53、p-p53、mTOR、p-mTOR蛋白表达情况,观察电针预处理对脑缺血再灌注损伤大鼠p53/mTOR通路相关蛋白的影响。结果:1.免疫组化:再灌注24h,与假手术组比较,各组p53、p-p53、mTOR、p-mTOR阳性细胞计数均显著增加（P<0.05）;与模型组比较,电针预处理组p53、p-p53、mTOR、p-mTOR阳性细胞计数均明显降低（P<0.05）。2.Western blotting:再灌注24h,与假手术组比较,各组p53、p-p53、mTOR、p-mTOR蛋白表达水平均显著升高（P<0.05）;与模型组比较,电针预处理组p53、p-p53、mTOR、p-mTOR蛋白表达水平均明显降低（P<0.05）。结论:电针预处理可以下调脑缺血再灌注损伤大鼠缺血半暗区p53、p-p53、mTOR、p-mTOR的表达,调控p53/mTOR信号通路。实验三 p53/mTOR通路在电针预处理降低脑缺血再灌注损伤大鼠的作用机制目的:观察电针预处理如何调控p53/mTOR通路来调节细胞凋亡与自噬,从而发挥脑保护作用。方法:选用90只SPF级雄性Sprague-Dawley大鼠按照随机数字表法分为假手术组、模型组、mTOR抑制剂组、电针预处理组、电针预处理+mTOR激动剂组、电针预处理+溶剂组,每组15只。大脑中动脉阻塞（MCAO）建立脑缺血再灌注24h模型。尼氏染色观察脑缺血再灌注损伤区域神经元损伤程度;应用免疫组化法观察脑组织缺血区Beclin-1、LC3蛋白表达;免疫荧光法观察p53核转移情况;Western blotting检测各组大鼠脑组织缺血区再灌注区域 p-p53、核 p53、p-mTOR、Beclin1、Bcl-2、Bax 的表达。观察p53/mTOR通路在电针预处理降低大鼠脑缺血再灌注损伤中的作用机制。结果:1.尼氏染色:再灌注24h,假手术组未出现明显神经元损伤,其余各组神经元损伤程度均明显高于假手术组;与模型组相比,抑制剂组、电针预处理组、电针预处理+溶剂组神经元损伤程度较低,而电针预处理+激动剂组神经元损伤程度与模型组相似;与电针预处理组相比,抑制剂组、电针预处理+溶剂组神经元损伤程度相似,而电针预处理+激动剂组神经元损伤程度较重。2.免疫组化:再灌注24h,与假手术组比较,各组Beclin-1、LC3阳性细胞计数均显著增加,差异具有统计学意义（P<0.05）;与模型组比较,抑制剂组、电针预处理组、电针预处理+溶剂组差异有统计学意义（P<0.05）,而电针预处理+激动剂组差异无统计学差异（P>0.05）;与电针预处理组相比,抑制剂组、电针预处理+溶剂组差异无统计学意义（P>0.05）,而电针预处理+激动剂组差异具有统计学意义（P<0.05）。3.免疫荧光:再灌注24h,与假手术组比较,模型组p53核表达阳性细胞数增多,差异具有统计学意义（P<0.05）;与模型组比较,抑制剂组、电针预处理组、电针预处理+溶剂组的核表达阳性细胞数呈下降趋势,差异具有统计学意义（P<0.05）,电针预处理+激动剂组无明显统计学意义（P>0.05）;与电针预处理组比较,电针预处理+激动剂组核表达阳性细胞数增加,差异具有统计学意义（P<0.05）。4.Western blotting:再灌注24h,与假手术组比较,各组p-p53、胞核p53、p-mTOR、Beclin-1、Bcl-2、Bax 均有明显表达（P<0.05）;与模型组比较,抑制剂组、电针预处理组、电针预处理+溶剂组差异有统计学意义（P<0.05）,而电针预处理+激动剂组差异无统计学差异（P>0.05）;与电针预处理组相比,抑制剂组、电针预处理+溶剂组差异无统计学差异（P>0.05）,电针预处理+激动剂组差异有统计学意义（P<0.05）。结论:1.电针预处理可以减轻脑缺血再灌注损伤大鼠神经元损伤,改善神经功能;2.电针预处理可以升高脑缺血再灌注损伤区域自噬启动蛋白Beclin-1水平,下调自噬标志蛋白LC3水平,影响细胞自噬,通过胞核p53调节细胞凋亡;3.电针预处理通过下调缺血半暗带p-p53、p-mTOR的表达,从而升高凋亡标志物Bcl-2/Bax比值水平,抑制再灌注损伤期间的凋亡和自噬,最终达到脑保护作用;