层状钙钛矿氧化物是一种重要的固体功能材料。由于其独特的层状结构，其层间成为化学反应活性中心，这大大拓宽了其应用范围。在光催化，铁电，超导，半导体，巨磁阻等方面都具有广泛应用。本文着重研究了三种层状钙钛矿氧化物的合成以及烷基胺和CuCl⁺的插层反应。1.层状钙钛矿氧化物的合成通过不同方法合成出了三种层状钙钛矿氧化物：单层Ruddlesden-Popper相化合物NaLaTiO₄，三层Ruddlesden-Popper相化合物K₂La₂Ti₃O₁₀以及双层Dion-Jacobson相氧化物KLaNb₂O₇。研究了合成这三种层状钙钛矿氧化物的最佳条件：高温固相法合成NaLaTiO₄时，焙烧温度应该控制在900℃，焙烧时间在2 h以下；硬脂酸法合成K₂La₂Ti₃O₁₀时，应保持K过量80%，前驱体须应在900℃下焙烧4 h；硬脂酸法合成KLaNb₂O₇时，应将前驱体置于1100℃下焙烧6 h。2.层状钙钛矿氧化物的烷基胺插层研究研究了H⁺的浓度和反应时间，对后续烷基胺插层的影响：H⁺的浓度和反应时间主要通过影响层间的化学反应影响烷基胺的插层。研究结果表明H⁺是以H3O+的形式插入到层状钙钛矿氧化物层间的，随着H⁺浓度的增大和反应时间的增长，H2O的含量逐渐减少，层间化学反应活性逐渐降低，烷基胺插层越困难。研究了三种层状钙钛矿氧化物的烷基胺胺插层反应。正丙胺，正丁胺，正辛胺，十二胺均能插入到KLaNb₂O₇层间；只有正辛胺能插入到K₂La₂Ti₃O₁₀层间，但反应不完全；四种胺均不能插入到NaLaTiO₄的层间。研究结果表明：钙钛矿层的酸性是影响烷基胺插层的最主要因素，另外，烷基胺的碱性，空间位阻和烷基胺的结构也会影响层状钙钛矿氧化物的烷基胺插层。3.层状钙钛矿氧化物的CuCl⁺插层研究研究了CuCl⁺对NaLaTiO₄和KLaNb₂O₇两种层状钙钛矿氧化物的插层。通过X射线粉末衍射对其进行结构表征，分析表明：CuCl⁺均成功插入到NaLaTiO₄和KLaNb₂O₇层间，形成了（CuCl）LaTiO₄和（CuCl）LaNb₂O₇。分别对二者进行结构解析，结果表明（CuCl）LaTiO₄和（CuCl）LaNb₂O₇均为Aurivillius相，属四方晶系，I4/mmm空间群。（CuCl）LaTiO₄晶胞参数：a=b=3.87（?），c=21.58（?），质点数为2；（CuCl）LaNb₂O₇晶胞参数：a=b=3.88（?），c = 22.14（?），质点数为2。