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本论文研究了掺杂浓度及退火对Mn掺杂ZnO（Mn:ZnO）薄膜物性的影响，并对基于Mn:ZnO薄膜的器件的电阻开关特性进行了探索。首先，本文采用溶胶-凝胶法制备了六种不同Mn掺杂浓度的Zn1-xMnxO(x=0.00，0.01，0.03，0.05，0.07，0.10)薄膜，研究了Mn掺杂对薄膜晶体结构、表面形貌和光学特性的影响。研究发现，当Mn掺杂浓度为1%时，薄膜结晶质量最好，并且紫外发光峰强度最大；随Mn掺杂浓度的增大，紫外发光峰出现先红移后蓝移的现象。其次，在普通玻璃基底上制备了Zn0.99Mn0.01O薄膜，研究了退火处理对其晶体结构和电阻率的影响。结果表明退火温度和时间对薄膜结晶质量和导电能力都有影响。当退火温度为500°C、退火时间为3h时，薄膜结晶质量最好，电阻率最小。最后，以ITO为基底、Al为顶电极制备了Al/ZnO/ITO和Al/Zn0.99Mn0.01O/ITO器件，并研究了其电阻开关特性。通过I-V测试，我们发现本文制备的器件均具有双极型电阻开关效应。Al/ZnO/ITO器件在低电阻状态LRS和高电阻状态HRS下的导电机制都是由空间电荷限制电流效应主导的。对于Al/Zn0.99Mn0.01O/ITO器件而言，退火处理对器件的VRESET和VSET都有影响。当退火温度为500时，VSET取最小值2.2V，而且延长退火时间可使其VSET和VRESET明显减小。另外，提高退火温度及延长退火时间都可使器件存储窗口展宽，并且在500退火3h制备的器件的RHRS/RLRS达到最大7.2510。