面向Si光集成的Si基Ge高效电致发光器件的研制

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Si基高效发光器件是目前Si基光电集成回路最具有挑战的器件之一。Ge由于具有准直接带特性、高载流子迁移率、在1.55μm附近有高的光吸收系数及与Si工艺相兼容等优势,被认为是理想的Si基光源候选材料之一。基于张应变及n型掺杂两种手段,Si基Ge材料的发光效率能大大提高。本文围绕Si基Ge材料制备、器件结构设计及器件制备开展了相关工作,其主要内容及创新如下:1.基于费米-狄拉克载流子分布模型和Van de Walle形变势理论,系统地研究了应变、温度和掺杂对简并态Ge材料自发辐射的影响。计算发现张应变有助于提高载流子的填充水平从而大大增强自发辐射强度及其温度稳定性。r能谷和L能谷间的能量差随温度升高而减小,使得Ge自发发射谱的峰值强度和积分强度都随温度升高而增大。在相同掺杂浓度下,n型掺杂相比P型掺杂更能有效地提高Ge的发光效率。2.采用SiNx应变源,通过调节Ge及绝缘层上Ge(GOI)条纹宽度调制了Ge层中的张应变。发现Ge条纹中Ge层的张应变随条纹的变宽先增加而后趋于饱和;而GOI条纹中Ge层的张应变随条纹宽度的增加逐渐减小。利用P+注入结合低温预退火和准分子激光退火,在Ge中获得了结深为44nm、峰值浓度为~5×1019cm-3的n型掺杂。由于Ge中的》型重掺杂,在制备的n+/p结中同时观测到了 1600nm附近的Ge直接带发光及1660nm附近的缺陷发光。3.利用Si衬底上张应变Si0.13Ge0.87/Ge多量子阱材料制备了垂直结构发光二极管。在室温连续电流注入下观测到了张应变Ge量子阱中的Γ1-HH1复合发光。研究发现,由于注入电流的焦耳加热效应,Ge量子阱的发光峰位对应的光子能量随注入电流密度的增大呈现超二次减小的趋势;在恒定注入电流密度下,张应变Ge量子阱的发光强度随温度的升高而增加。4.提出了 SOI衬底上横向p-Si0.05Ge0.95/i-Ge/n-Si0.05Ge0.95双异质结发光二极管。利用横向p-i-n结构,提高了器件的光抽取效率;利用SiGe/Ge/SiGe双异质结,器件的载流子注入比相比同质结提高了 137倍;利用SOI衬底带来的共振腔增强效应,提高了器件自发辐射强度;材料采用800℃退火,在Ge层中引入了~0.3%张应变。经过上述设计,在相同注入电流密度下,该横向双异质结发光二极管的发光强度相比Ge同质结发光二极管的发光强度提高了 4倍。5.提出了 SOI衬底上张应变n型掺杂Ge外延层及SiGe/Ge“I”叁型多量子阱双有源区垂直谐振腔发光二极管。利用Ge多量子阱直接带复合发光的光子能量略大于Ge外延层的直接带隙这一特性,将上述双有源区与垂直谐振腔相结合,使原本泄露到衬底之外的多量子阱发光被回收来对Ge外延层进行光泵浦,提高材料整体发光效率。经过器件设计,在1625-1700nm波段观测到了 Ge材料在室温连续电注入下的光增益。在该器件的基础上尝试了垂直腔面发射激光器的制备,为后续优化器件结构奠定了基础。6.提出了温度渐变Ge浓缩工艺来制备高质量绝缘层上SiGe(SGOI)材料。使Ge浓缩温度随着SiGe层Ge组分的增加逐渐从115℃降低到900℃。利用该工艺获得了组分均匀分布的SGOI材料,提高了 SGOI(GOI)的晶体质量、降低了 SGOI(GOI)的表面粗糙度(RMS<1nm)并且可以获得高Ge组分(>0.70)、大压应变(-1.23%)的SGOI材料。7.建立了三维Ge浓缩模型。基于该模型,进行了绝缘层上Ge组分可调的SiGe/Ge异质结纳米线的设计和制备。利用制备的绝缘层上Si0.09Ge0.91/Ge异质结纳米线进行MSM光电探测器的制备,发现器件的反向饱和暗电流仅为2.7nA,比传统Ge探测器暗电流低了三个数量级以上。由于纳米线中张应变及金属/Si0.09Ge0.91肖特基势垒的存在,探测器响应截止波长扩展到了~2400nm。
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