硒化镉（CdSe）具有优良的光电性质,是应用最为广泛的半导体材料之一。本文采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝式法,在GGA+U框架下第一次对CdSe块体和薄膜超胞的Cd空位,Se空位,反位取代Cd_Se和Se_Cd四种本征缺陷的形成能,电子结构,磁性和光学性质进行研究。结果如下:（1）对比Cd空位,Se空位,Cd替换Se,Se替换Cd几种结构当中,发现在块体CdSe中,Cd空位缺陷在富Se的情况下是最容易形成的,与之前文献中的实验结果一致。而在富Cd的情况下,不管是块体还是薄膜,Se空位缺陷是最容易形成的。（2）在GGA+U的计算下,块体和薄膜的直接带隙分别是1.7 eV和2.3 eV,也就是说不同的本征缺陷并没有很大地改变其直接带隙,只是有很细微地增加或者减少;对于以上几种本征缺陷结构,在带隙中都引入了一些杂质能级,这可能是光学性质的改变所引起的。并且这些杂质能级都来自于Se原子的4p轨道。（3）在这几种结构当中,Cd空位最为特别,不管是在块体还是在薄膜当中,Cd空位旁边最近的两个Se原子会被诱导出磁矩,而反位取代Cd_Se与其他结构均不会产生磁矩。但是这个磁矩的产生是受到Se原子4p轨道的U值的影响的。如果U值设置为0,那么块体和薄膜两种CdSe都不会产生磁性。（4）各种缺陷的吸收谱的吸收边缘均向低能方向发生红移,从块体和单层CdSe结构来看,其本征缺陷的出现都会影响其吸收系数和对太阳光的利用。