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本论文探索了用常压化学气相沉积法(APCVD)在铜箔上制备石墨烯薄膜的工艺过程,并采用变量控制法系统研究了其制备过程中的四个重要工艺参数——铜箔处理过程中的H2/Ar流速,生长过程中的H2/Ar流速、生长温度以及生长时间对石墨烯结构及其质量的影响。经过对比分析我们发现,当铜箔处理过程中的H2/Ar流速为300/300sccm,生长过程中的H2/Ar流速为250/750sccm,生长温度为850℃,生长时间为10min时,制备的石墨烯具有较高的透过率、较少的层数以及较小的缺陷密度。在上述最佳的工艺参数下,我们制备并转移出了最佳的石墨烯薄膜样品,通过对该样品的表征研究我们发现：其面积约100mm2；其表面形貌平整、均一,裂纹及缺陷极少；在可见光波段的透过率范围为81.0%-92.7%；其Raman光谱的G峰与2D峰的强度比(IG/I2D)为1.02, D峰与G峰的强度比(ID/IG)为0.53,即该样品的层数约为3层,缺陷密度较小；其TEM图片显示该样品的厚度约为1nm左右,证明其层数为3层,且在该样品中我们还观察到了厚度约为0.35nm(-1层)的石墨烯片层。此外,本文还对所有采用常压CVD法制备的石墨烯薄膜进行了方块电阻测试,我们发现所有样品的方块电阻的实验数据的走向与理论曲线相符的较好,且我们测得的最小的方块电阻为2403.5Ω/口。最后,本论文还将该最佳的石墨烯薄膜样品作为可饱和吸收材料应用于工作于1064nm的Nd:YAG激光器中进行了调Q研究,我们得到了最窄脉宽为242.8ns的脉冲激光,其单脉冲能量为8.18μJ,峰值功率为33.69W,该实验结果表明采用常压CVD法制备的高质量、大面积的石墨烯薄膜易于转移至需要的目标基底,且其作为超短脉冲激光器的可饱和吸收材料是可行且有意义的。