本论文通过对波长为1.3μm、InGaAsP/InP材料的半导体功率放大激光器的特殊结构的分析和研究,采取在半导体功率放大激光器相应的腔面镀膜的方法,以获得高的增益、降低阈值电流、提高激光器的光耦合效率以及光输出功率。为了提高半导体功率放大激光器中激光发生器与激光放大器的光耦合效率,我们通过在半导体功率放大激光器的激光发生器的前腔面镀制高反射膜方法,提高激光发生器端面的光输出,进而来提高它的光耦合效率,我们采用ZrO₂和MgF₂作为多层介质高反射膜,通过理论计算,半导体功率放大激光器后腔面反射率理论上可达到92.5%。最后通过实验分析加以验证,半导体功率放大激光器在镀制反射膜之后,它的整体工作功率提高了36.3-50%。同时,为了进一步提高半导体功率放大激光器中的激光发生器与激光放大器的耦合效率,我们采取在半导体功率放大激光器激光放大器的前腔面镀制SiO增透膜的方法来提高相应腔面的透射率,进一步提高它的光耦合效率。并采用软件进行模拟计算分析,整体透射率得到了明显改善。提高了半导体功率放大激光器的光耦合效率以及输出的光功率。