【摘 要】
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准一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米同轴电缆、纳米带等,由于其优异的力、光、电、声、磁、热、储氢等特性,在各种纳米级的电子学、光电子学、磁电子学和传感器件中有着广泛的应用前景,因而成为目前人们研究的焦点。实现对准一维纳米材料的生长、成份、结构的可控制备,又是准一维纳米材料应用的前提和基础。因此,本论文围绕准一维纳米材料的合成及其物性做了一系列的研究,其主要研究结果如下:1.三元氧化物SnGeO_3
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准一维纳米材料如纳米管、纳米线、纳米同轴电缆、纳米带等,由于其优异的力、光、电、声、磁、热、储氢等特性,在各种纳米级的电子学、光电子学、磁电子学和传感器件中有着广泛的应用前景,因而成为目前人们研究的焦点。实现对准一维纳米材料的生长、成份、结构的可控制备,又是准一维纳米材料应用的前提和基础。因此,本论文围绕准一维纳米材料的合成及其物性做了一系列的研究,其主要研究结果如下:1.三元氧化物SnGeO_3纳米带的合成、表征及发光性能研究通过简单热蒸发的方法在Si衬底上成功合成出大量的
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