磁控溅射法所沉积SiN<,x>非晶薄膜的结构分析及发光特性研究

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【摘要】

：

近几十年,硅基纳米材料已经迅速发展成为新一代的光电信息材料,在发光器件和光电子集成技术中都具有极其重要的应用。由于量子限域效应,镶嵌在氧化硅或者Si/SiO_2超晶格中的纳米硅(Nc-Si)已经成为研究的热点和前沿。尽管如此,由于氮化硅是一种宽带隙半导体(带隙约为5.3eV),具有较强的光发射,并且比二氧化硅窄的带隙更有利于载流子注入,所以非晶SiN_x薄膜已经成为了研究硅基复合物发光的理想候选材

【作者】

：

邬洋

【机构】

：

北京交通大学

【发表日期】

：

2008年06期

【关键词】

：

磁控溅射法非晶薄膜结构分析发光特性

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