本文采用电磁拓扑的方法研究电子系统与强电磁环境交互作用的机理与耦合计算。对于交互作用机理采用电磁拓扑图的方法研究,对于电子系统中的印制线与电磁场的耦合采用解析的方法进行分析和计算,对于电子系统中的电子元器件与电磁场的耦合采用实验的方法进行评估。主要工作有:首先,给出了一个新的找出电磁屏蔽拓扑图中屏蔽系数小于给定阈值K的所有路径的高效算法。其次,用解析的方法证明了在双导体为理想导体而且介质为真空的情况下Taylor模型、Agrawal模型和Rachidi模型三种传输线模型是等价的,并得到响应电压和电流的解析表达式,以及终端负载响应的BLT方程。然后,推导了基于平面波激励下的印制线终端负载耦合响应的解析表达式,并对入射场为正弦平面波和核电磁脉冲的情况进行了实例计算,通过解析表达式分析入射场的入射角和极化角对印制线耦合的影响,分析表明当入射角和极化角满足一定的关系时,入射场对印制线产生的耦合电压和电流均为0,即此时入射场对印制线没有电磁干扰。最后,采用C波段微波脉冲对运算放大器进行辐照实验,实验表明,运算放大器受到的辐射干扰电压的大小与微波脉冲的功率密度关系密切,微波脉冲的重频对输出信号也有重要影响。