Nd:YAG激光照射制备SiC纳米晶须的研究

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激光加工,以激光作为热源,具有瞬时高能量密度输出及超快加热效应,已在纳米材料制备领域获得广泛重视。激光与材料相互作用时,空间呈高斯分布,并形成梯度分布的温度场,使得材料制备亦呈现梯度分布。本文以Nd:YAG激光为热源,以SiC纳米颗粒材料为前驱体,进行了激光照射下纳米SiC颗粒原位生长晶须的试验。通过对比Nd:YAG激光器与CO2激光器,探索SiC晶须在激光照射下稳定生长的工艺参数及生长机理。所完成的主要工作如下:1.对比分析CO2激光与Nd:YAG激光在波长、空间分布、激光工作模式及材料吸收率方面的异同。2.以CO2激光为例,简化激光束为基模高斯光束,建立激光照射纳米SiC模型,并使用Ansys软件对该过程温度场进行仿真分析。分析温度场可用于指导试验中激光参数的选择。3.以Nd:YAG激光作为热源,采用激光与材料照射表面相互垂直的方式,进行纳米SiC颗粒照射试验,优化参数配置,进而找出最优参数组合。同时,对样品照射层进行扫描电镜及X射线衍射分析,结合CO2激光照射试验,参照对比,初步分析了照射层不同微观形貌的形成机制。4.按晶须生长的四个阶段(晶须晶核的形成、晶须生长的初级阶段、晶须生长的二次增厚阶段、晶须停止生长阶段)详细分析晶须生长机理。5.详细分析CO2激光器及Nd:YAG激光器激光参数对SiC晶须生长的影响,深入分析了PVA、PVB、CMC三种粘结剂对晶须生长数量及形态的影响。
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