作为II-VI族半导体的代表,CdS以其优异的光电性质在光电器件领域有着广泛的应用。本文基于Sn掺杂的多分支的CdS梳状结构,利用FIB技术构建了微电子器件,结合CdS梳状阵列结构的特殊几何形式,构建不同形态的光控多通道微电路,研究不同结构参数的梳状结构的电阻率在暗场和明场下的差异,光谱响应的差异以及低温条件下的电子输运特性。其次,基于激光直写原理设计了一套低成本的器件制备方法,初步实现了对纳米线(带)的光电探测器的制备。本文通过对其电学特性的研究,并结合简单的器件制作方法,为未来构建不同形态的多通道阵列光电子器件奠定了基础,有利于推动阵列微纳器件研究从材料合成和物性测量向器件化方面的跨越。本论文创新性地开展了以下研究:(1)通过FIB技术首次构建了基于多分支梳状CdS结构的微电子器件,从M-S-M结构入手,验证了高功函数的Pt电极与半导体产生欧姆接触行为是由于Ga~+的轰击导致了肖特基势垒的降低。对暗态下产生的不饱和I-V特性曲线进行分析是由于金属与半导体接触点、半导体自身的分压作用,以及镜像力隧穿电流等因素导致的。(2)针对两种不同形貌分支的梳状结构:针状分支纳米梳和直径均匀分支的纳米梳,研究了其不同分支串并联时的I-V曲线,通过不同主干分支电极之间的串并联测试,证明了串联时其电阻和电阻率随节点数量的增多表现为线性关系,在并联时电阻与电阻率呈现出光照可调特性,并在此基础上实现了粗调与微调的可调电阻特性,性能如下:暗态,电阻从1.139MΩ到0.0496MΩ,电阻率从1.439Ω·cm到0.09Ω·cm(粗调);光照,电阻从0.172MΩ到0.0386MΩ,电阻率从0.222Ω·cm到0.069Ω·cm(微调),为构建微型的滑动变阻器奠定基础。(3)研究了宽光谱响应情况以及特定激光波长(405nm,532nm)下的光谱响应与时间响应,并在白光照射下研究了并联分支的光响应,证明多分支并联时由于多导电沟道的存在其上升响应时间比单个分支的响应时间要快,这为我们构建多通道的光电探测器阵列奠定基础。(4)利用低温装置进行了低温电学性质的测试,发现暗态下电流与电导随着温度的降低而降低,而光照时电流与电导随着温度降低而升高,对于构建基于电导的温度传感器具有重要意义。此外,在0V附近观察到明显的电导抑制现象,原因如下:一方面,在低压时,由于肖特基势垒的影响,金属与半导体接触点的占据着主要分压,而分布在纳米梳本身的电压很小,因此在室温下0V附近也表现出电导抑制现象;另一方面,电子-电子之间强的相互作用导致了库伦带隙的产生,温度降低使得其库仑间隙增大,电导开始被耗尽,故在暗态下其电导在低温时削弱。(5)基于激光直写原理,采用紫外波长的LED灯,与实验室显微系统相集成,设计了一套可行的电极制备方法,并成功构建了纳米线(带)光电探测器,明暗电流比为150,光敏感度为145。