论文部分内容阅读
准一维纳米半导体材料具有优异的电学和光学性质，引起了人们广泛的研究兴趣。在宽禁带半导体材料中，II-VI族的氧化锌（ZnO）和硒化锌（ZnSe）尤为引人注目。1、氧化锌纳米结构本文将运用气相沉积方法系统研究一维ZnO纳米结构的合成，利用场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线能谱分析（EDX）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、光致发光能谱仪（PL）等对所合成ZnO纳米线、纳米棒阵列、纳米薄膜进行表征，同时运用微纳加工手段制备了基于n型氧化锌纳米棒阵列和单层石墨烯的金属的半导体肖特基二极管，并对器件的电学和光学特征进行了深入详细的研究。2、硒化锌纳米结构论文对准一维ZnSe纳米材料的可控掺杂及纳米光电子器件也进行了系统的研究。通过在热蒸发过程中引入Sb元素，我们实现了准一维硒化锌纳米线的p型可控掺杂，对合成的掺杂纳米结构的形貌、物相以及成分等进行了表征。并基于掺杂准一维ZnSe纳米材料构筑了场效应晶体管、紫外光电探测器、太阳能电池。研究了器件结构的改进对纳米材料的电学和光学性能的影响，为准一维ZnSe纳米材料在新型光电子器件中的应用奠定了基础。