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透明氧化物半导体(TOS)是一种在可见光区域具有良好的透光性,并且导电性优异的光电材料,由于具备这两个特性,被广泛应用于电子工业领域。根据导电特性的不同分为n型与p型两类。目前n型TOS已经被广泛应用,而p型TOS相对缺乏。本文根据价带化学修饰理论,以p型铜铁矿结构的CuCrO2薄膜为研究对象,采用磁控溅射技术制备CuCrO2薄膜,摸索出薄膜制备工艺,通过二价离子受主掺杂改善薄膜的导电性,研究了厚度对CuCrO2:Mg(9mol%)薄膜透明导电性的影响,制备出p-CuCrO2:Mg(9mol%)/n