随着现代电子技术的发展,电子薄膜材料的应用范围不断扩大,这在很大程度上促进了薄膜制备技术的进步与发展。高精密薄膜电阻在单片模拟集成电路和混合集成电路中得到广泛应用,尤其是在高精度模拟集成电路中,普通的扩散电阻和注入电阻已无法满足其精度的要求,于是进一步增加了对高精密薄膜电阻及其电阻网络的需求。本论文选取常见金属薄膜电阻中的铬硅陶瓷薄膜电阻进行研究,首先简单介绍了铬硅薄膜电阻的应用情况以及国内外的研究现状,并详细地介绍了真空蒸发和溅射镀膜两种制备电阻薄膜的方法;其次采用Varian公司XM-90直流磁控溅射系统较全面地研究了不同衬底材料、溅射反应气体、电阻条宽、钝化层对铬硅电阻薄膜的影响,重点优化了溅射工艺条件与退火工艺条件,并研究了接触电阻与激光修调对铬硅薄膜电阻阻值漂移的影响;而后介绍了影响薄膜电阻性质的常见参数如温度系数、电阻偏差、跟踪温度系数、电压系数等,并利用实验数据系统地分析了我所制备的铬硅薄膜电阻的各项参数。通过大量实验表明:利用相同溅射工艺条件在不同衬底材料上溅射的铬硅薄膜电阻阻值差异不大;随着溅射中Ar气体流量与反应气体流量(如氮气或氧气)的增加,铬硅薄膜方块电阻逐步加大;同时,通过大量的实验得到了优化的溅射工艺条件,并发现进行热退火的铬硅电阻薄膜的稳定性明显优于无退火的,接着通过退火温度、时间、气氛的实验,得到了120min、460℃、N2:O2=3.5L:1.5L的退火优化条件,使铬硅薄膜电阻的温度系数减小到±10ppm/℃左右,稳定性得到了很大提高;钝化层本身对铬硅薄膜电阻的阻值影响不大;铬硅薄膜电阻激光修调的部分越多,其漂移特性越不理想;我所制备的铬硅薄膜电阻的各项参数除电阻偏差外基本达到目标要求。通过对铬硅电阻薄膜溅射工艺和退火工艺等条件的优化,铬硅电阻的温度系数下降到±10ppm/℃,稳定性得到了很大提高,为高精度模拟集成电路的应用与发展奠定了坚实的基础。