在过去的十几年中,二维材料作为后硅时代最具发展前景的电子材料,引起广泛关注。其中,石墨烯具有超高的载流子迁移率,这使其在众多二维材料中脱颖而出,以期在未来集成电路中替代传统硅。此外,石墨烯可通过化学气相沉积法进行大面积制备,这是其另一大优势。但是,由于石墨烯生通常不能直接生长于目标基片上,需要进一步转移才能应用,而转移过程极易对石墨烯造成不必要的掺杂、破损和褶皱。因此,如何洁净转移石墨烯成为需要重点解决问题之一。另外,暴露在外界环境中的石墨烯表面容易吸附空气中的水、氧气等分子,造成掺杂,影响石墨烯晶体管的特性。除此之外,石墨烯本身缺乏带隙,导致传统石墨烯场效应晶体管开关比极低,严重限制其实际应用潜力,尤其对逻辑电路而言。针对以上问题,本文首先进行石墨烯生长探索,经研究发现铜表面的氧化物以及生长气流比对石墨烯生长都有影响。用APS处理铜表面30s去除铜的氧化物、气流比为Ar:H₂:CH₄=50:90:30,可以生长出连续完整的单层石墨烯薄膜,为后续器件探索提供支持。然后,针对石墨烯转移常见的杂质、破损、褶皱等问题,本文从目标基片、石墨烯/铜箔、腐蚀液三个方面进行探索。发现异丙醇改善基片亲水性可以明显减少转移中的破损与褶皱,并且避免损伤基片;酸碱辅助转移可以去除石墨烯表面Fe离子和各种金属以及金属氧化物颗粒杂质,转移效果甚至比APS转移还好;同时也进行RIE去除背底石墨烯、高温退火分解PMMA杂质等诸多改善。最终通过霍尔测试有低的面电阻856Ω/（9）和高的载流子迁移率1349 cm²/（V·s）。随后,开展石墨相关器件研究,发现20 W低功率下RIE图形化石墨烯可以避免光刻胶残留;IGZO比PEI钝化层对器件隔绝空气效果更好,由于高真空下生长的IGZO不对石墨烯造成污染;随后对比不同转移方式制备的GFET,证实酸碱辅助转移GFET狄拉克点非常接近本征石墨烯狄拉克点为1.98 V,同时载流子迁移率1305.01 cm²/（V?s）;最后,制备IGZO/石墨烯异质结场效应晶体管,IGZO不仅作为钝化层同时也作为一路导电沟道,最终器件开关比可达7.81×10⁴。