该论文用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)和计算机模拟重点研究了用自组织方法 形成纳米或原子级有序结构,并用自组织方法形成了两种新的原子级有序结构.对影响自组织过程的一些因素进行了分析,同时还研究了一些可以用来控制自组织过程的表面周期性结构.通过室温快速沉积的方法在Si(100)表面引入大量缺陷,然后高温退火,首次利用缺陷之间的相互作用在Si(100)表面自组织形成大面积二聚体空位阵列.通过硅、锗在二聚体空阵列上的自组织过程,研究了影响自组织过程的一些其它因素,揭示硅在二聚体空位阵列上从"1+1+1"结构→"1+n+1"结构→二聚体空位阵列的自组织过程.对用来控制自组织过程的性表面结构进行了研究,主要研究两种周期性表面结构:一种低斜切角Si(100)表面的双原子台 阶,主要研究了其形成及结构;另一种是7×7表面,系统研究了其表面的原子级有序畴界,揭示了体晶格和DAS结构对畴界的影响.这一研究可以使研究人员获得更多的控制自组织过 程的周期性表面结构.