近年来,随着集成电路的高速发展,嵌入式SoC系统的设计成为一个热门的话题。不久的将来,嵌入式存储器在整个SoC系统面积中占据主导地位,并且这个比例会越来越大。静态随机存储器(SRAM)在存储器中因其高速度应用于诸如CPU缓存和高性能通信网络所需的高速器件等方面而闻名。SRAM技术的研究主要有高速度和低功耗两个方向,SRAM产品根据用户需求的不同侧重于不同的方向。SRAM的设计主要有两种方法,一种是全定制的设计方法,但是其设计周期长,通常需要数月甚至几年的时间。为了解决这个限制因素,采用另一种设计方法,即编译器技术来编译出用户所需尺寸的SRAM。编译器技术是一种半定制设计的方法,将SRAM按照功能划分为不同的小模块,这些小模块是相对固定的,全定制设计这些小模块,并对其建库,形成基本单元库,编译器按照相应的规律对基本单元库进行调用拼接实现整个SRAM电路。采用编译器技术有许多优点：(1)大大地缩短了设计周期,使得设计者可以集中精力于系统化的设计；(2)节省了设计资源,提高了设计资源的可重用性；(3)通过改变设计交接的层次提高了设计效率。因此编译器技术是SRAM设计中的主流方法。本文的研究是基于一款已有的编译器进行的,其参数指标深度为16-8192字、宽度为2-32位可配置,能够实现的SRAM的最大容量为256Kb。本文的主要目的是对此编译器的容量进行扩展,将编译器的参数指标扩展为深度1K-512K字,宽度8-32位可配置,也就是说新的编译器能够生成的SRAM的最大容量为2MB。对编译器的容量进行扩展的主要思路是以原来的编译器能够生成的小容量的SRAM为基本拼接单元,利用分块原理和铺砌原理,按照一定的拼接结构来实现大容量的SRAM。