防止电磁辐射发射(Radiated Emission,RE)超标是电子产品电磁兼容(Electro Magnetic Compatibility,EMC)设计阶段最困难的问题之一。随着工作频率的不断提高,高速数字电路更容易产生比以前更强烈的辐射,给设计人员带来更严峻的挑战。本文针对数字电路中串联互补MOSFET门电路的典型结构,从寄生辐射天线模型辨识与提取、辐射解析算法、仿真和实测几方面,详细的研究其远场辐射发射问题。针对带有长输入/输出线缆的寄生辐射天线的辨识和提取问题,提出一种提取共模(Common Mode,CM)加差模(Differential Mode,DM)的辐射天线方法,具体提取了典型CMOS反相器电路内部寄生的CM辐射天线和DM辐射天线,并推导简化模型。详细推导和分析简化CM天线的阻抗特性、天线臂上的电流分布以及自由空间中(模拟全电波暗室)中远场辐射场强解析算法。分析并应用不对称CM天线转化为两个对称CM天线的方法。对于实际应用中,存在导电平面(模拟半电波暗室)的空间的情况,为了考虑地面的反射效应,利用镜像方法,提出改进辐射模型和辐射场解析算法。同时,对DM的远场辐射场进行了推导和仿真验证。为进行辐射预测,先建立典型数字电路的高频等效电路模型,时域提取出寄生辐射天线的激励源。进而建立基于场路协同仿真的远场辐射模型,得出天线方向图及场强大小的信息,同时也分析了各寄生辐射天线的叠加效果和作用。搭建30 MHz晶振激励的CMOS反相器电路实物,并在10米法半电波暗室进行辐射测试,详细测试电路参数变化对辐射的影响,并与解析、仿真结果进行对比,从而验证模型提取、解析算法与仿真预测的有效性。