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金刚石具有所有物质中最高的弹性模量(E=1200Gpa),材料密度较低(ρ=3.51g/cm3)纵波声速在所有物质中最高,可达到18000m/s,由于其优良的物理特性,金刚石薄膜得到了广泛的应用,声表面波(SAW)器件方面的应用是金刚石最引人注意的应用之一。氮化铝(AlN)是一类重要的宽带隙Ⅲ-V族化合物半导体材料,其晶体结构为纤锌矿型。AlN具有许多优异的物理性能,在蓝光、紫外发光材料、外延过渡层和GHz级声表面波器件等方面有着重要的应用。在声表面波滤波器(SAWF)应用方面,由于金刚石具有很高的声表面波传播速度,而AlN材料具有压电效应,与金刚石附着良好,其本身的声表面波传播速度较高,且温度系数很小。因此若将金刚石和AlN相结合,不仅具有很高的声表面波速度,而且当器件承受大功率温度升高时,中心频率随温度升高的漂移很小,这非常适合于制造高频声表面波滤波器。本文首先采用直流喷射CVD法在钼台上制备出高质量的金刚石薄膜。用SEM等测试手段对沉积的薄膜进行了表征。探讨了衬底材料、基片预处理、基片温度、气体配比、工作气压等工艺参数对金刚石成膜质量的影响,从而获得适于构建高频SAWF的致密金刚石薄膜。其次采用磁控溅射法在硅衬底上制备了C轴定向的氮化铝薄膜,利用XRD等测试手段对薄膜结晶性能进行了分析,并系统研究了溅射功率、氩氮比、溅射压力等工艺条件对薄膜性能的影响;在此基础上,采用射频磁控溅射法在金刚石薄膜衬底上制备了高C轴取向的AlN薄膜,并进一步研究了在金刚石衬底上溅射功率和衬底温度对薄膜结晶取向的影响,优化了氮化铝薄膜在金刚石衬底上的沉积工艺。总之,通过一系列的研究,本文系统探讨了沉积工艺条件对薄膜性能的影响,在优化工艺条件下制备出高质量的金刚石薄膜和AlN压电薄膜,为今后进一步的研究奠定了坚实的基础。