白光LED照明技术已经成为现代社会发展的重要方面，被誉为第四代照明光源，而白光LED荧光材料具有很大的研究空间，本课题将掺杂YAG晶体作为新型发光材料重点研究。采用稀土发光离子Ce3+离子作为发光中心，YAG作为基质进行晶体的生长。　　 本课题采用丘克拉斯基法来生长晶体，经过理论分析和多次的实验尝试，最终生长出了质量良好的掺Ce3+离子和双掺Ce3+，Cr3+离子的YAG晶体，生长面为(111)面，晶体为深黄色，经过退火后由于内部热应力的释放和氧空位的补偿其颜色变浅，双掺Ce3+，Cr3+离子YAG晶体为褐色，退火后变为黄绿色，熔化温度为1960℃，铱坩埚熔料，转速10-12r/min，拉速0.5-1mm/h。通过腐蚀观察晶体表面位错蚀坑法进行位错的研究，通过激光照射观察晶体中的散射颗粒，通过偏光显微镜观察晶体中的组分过冷，结果表明开裂、组分过冷和位错是影响晶体质量的主要缺陷，退火可以有效地降低位错密度。用X射线衍射分析了掺杂离子YAG晶体的结构，证实了其结构为立方晶系，Ia3d空间群。　　 对晶体进行热导率的测定，常温下其热导率为12.97W/cm·K，与纯YAG晶体相比略有降低，随着温度的升高和掺杂离子浓度的增大，晶体热导率均变小。　　 采用紫外分光光度计与荧光光谱仪进行了掺杂晶体的吸收光谱和荧光光谱的测定，掺Ce3+离子YAG晶体具有明显的220nm，340nm，460nm的吸收峰，其中在460nm吸收最强，退火后晶体吸收比退火前加强，通过荧光光谱的测定，晶体在460nm蓝光激发下具有很强556nm的激发光，通过不同浓度的晶体的光谱测试显示晶体下部比中部和上部具有更强的吸收和激发。　　 通过总结吸收光谱和荧光光谱做出了Ce3+的能级简图。计算了晶体的吸收截面，荧光寿命和荧光截面，并对晶体进行了细加工，将晶体用于1W白光LED芯片上进行了初步试验并取得了良好的效果。