本论文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了新型二维材料SnS₂电子结构及其性能的调控方法。其主要结论如下:1)研究了层厚对于二维SnS₂材料电子结构的影响。研究结果表明当二维SnS₂纳米片的层数增加时,受到量子限制效应的影响,该材料的带隙减小。另外,研究结果也显示出SnS₂体材料,单层和双层纳米片均属于间接带隙半导体。电子态密度的计算显示了二维SnS₂纳米片的价带顶主要由S-3p态组成,而导带底则由S-3p和Sn-5s轨道杂化构成,且单层和双层SnS₂纳米片电子态密度的峰值相对于SnS₂体材料更加尖锐。因此,计算结果表明二维SnS₂纳米片的层数能够有效地调控其电子结构。2)研究了电场对二维SnS₂纳米片电子结构的影响。为了研究电场对二维SnS₂纳米片电子结构的影响,通过沿着垂直于二维SnS₂纳米片的生长方向施加外加电场来研究对带隙的调节作用。数值结果显示了随着外加电场的不断增加,2H型和4H型SnS₂多层结构的带隙值也随之不断减小,最终表现出金属性。同时,研究结果也显示了对于二维SnS₂单层结构,需要较大的电场才使其带隙发生较为明显的改变。因此,这些结果意味着应用电场能够有效地调控二维SnS₂纳米片的带隙。3)研究了二维SnS₂-xSex合金的电子结构和光学性质。为了研究寻找对二维SnS₂纳米片电子结构和光学性质的调控,通过运用同价元素Se取代S元素对二维半导体材料SnS₂单层材料的电子结构和光学性质进行调控。结果显示二维SnS₂-xSex合金的带隙随着Se含量的增加而降低,光吸收阈值也单调地红移。因此,二维SnS₂半导体材料的带隙和光学性质能够通过Se原子取代S原子得到有效地调控。